7月27日，国产DRAM龙头长鑫科技（688825.SH）正式叩开上交所科创板大门。该股发行价定在8.66元/股，上市首日开盘即飙至49.5元，涨幅高达471.59%，总市值一举突破3.31万亿元，强势超越工商银行，登顶A股总市值榜首。
长鑫科技上市首日股价
从参与门槛来看，长鑫科技凭借极低的打新本金需求和极高的上涨弹性，成了近期市场关注的焦点。本次IPO单签仅需500股，缴款门槛仅为4330元，对中小投资者十分友好。以3.31万亿元的市值测算，中得一签的盈利约为2万元。
公告披露，长鑫科技网上有效申购户数高达942.8778万户，突破942万大关；有效申购股数达到8169.20亿股。网上发行初步有效申购倍数约243.93倍，远超100倍的回拨触发线。发行人及联席主承销商随即启动回拨机制，将50210.25万股从网下转至网上。回拨后，网上最终发行量定格为385110.35万股，中签率低至0.47141739%。值得注意的是，网上、网下整体弃购比例仅0.17%，仅有约4万人以发行价获配，0.47%的中签率刷新科创板纪录，打新赚钱效应肉眼可见。
长鑫科技本次发行情况
就募资规模而言，长鑫科技此次IPO创下了科创板历史纪录。公司拟公开发行66.88亿股股份，超额配售选择权行使前，发行后总股本为668.81亿股，对应发行总市值5791.88亿元；若全额行使超额配售选择权，预计募集资金总额可达666.07亿元。这一数字将超越2020年中芯国际532.30亿元的募资规模，不仅成为科创板史上最大IPO，更跻身A股历史IPO募资规模前三甲。
根据招股书，募集资金将全部投入主营业务的三大方向：75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目，130亿元用于DRAM存储器技术升级项目，90亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。公司表示，随着募投项目建成，先进工艺产能将进一步提升，产品结构得以优化，技术研发优势得到巩固，从而加速DDR5、LPDDR5X等高端产品的量产迭代，缩小与国际头部厂商的技术差距。
机构与资金的热捧，根源于长鑫科技亮眼的业绩增速与长期成长潜力。招股书数据显示，2023年度、2024年度及2025年度，公司扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为-167.52亿元、-78.70亿元及53.16亿元。进入2026年一季度，公司实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；净利润330.12亿元，归母净利润247.62亿元，扣非后归母净利润263.41亿元，各项指标均实现扭亏为盈。
长鑫科技业绩表现
今年上半年，公司业绩更是爆发式增长。长鑫科技预计2026年上半年实现营业收入1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润500亿至570亿元，同比增幅在2244.03%至2544.19%之间。业绩狂飙主要得益于两个因素：一是全球AI算力需求在一季度呈指数级爆发；二是供给端三星、SK海力士、美光三大原厂将先进制程产能倾斜至HBM，导致通用型DRAM供给被系统性挤压，价格大幅上涨，行业景气度回升。
长鑫科技成立于2016年，总部位于安徽合肥，由知名芯片企业家朱一明创办，是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。公司采用IDM全产业链模式，覆盖从芯片研发、晶圆制造、封装测试、模组生产到终端销售的全部环节。据Omdia数据，按出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。在全球范围内，具备这一完整能力的DRAM厂商仅有三星、SK海力士、美光与长鑫四家。
国金证券指出，政策红利与需求扩容的共振，不仅推动全球DRAM市场规模持续攀升，也为长鑫科技等本土企业打开了广阔的成长空间。
长鑫科技的热度，折射出2026年打新市场的火热程度。上半年A股市场共有71只新股上市，首日无一破发，平均首日涨幅达233%，创下近五年新高。
半导体与高端制造业是市场高估值溢价的主要赛道。其中，沐曦股份首日收盘涨幅693%，单签盈利约36.26万元，位居榜首；联讯仪器收盘涨幅875.82%，单签盈利35.86万元紧随其后；长进光子首日收盘涨幅1510.52%，单签盈利约30.95万元；臻宝科技首日涨幅1212.84%，单签盈利27.02万元，均属典型的“大肉签”。
不过，在打新“造富”光环之下，投资者也需警惕风险。新股上市初期波动往往剧烈，“打新赚钱”更多体现在中签后首日或初期卖出的收益，而非长期持有的确定性回报。